型号：IRFR5410TRPBF，品牌：IR/INFINEON,封装：TO-252
数量：93274个，进口原装正品现货热卖
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 205 毫欧 @ 7.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 58nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 760pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 66W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63